[发明专利]氮化物半导体发光元件及氮化物半导体激光元件的制造方法有效
| 申请号： | 200610171711.0 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1983748A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;川口佳伸 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/343;H01S5/323;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在光射出部形成涂膜的氮化物半导体发光元件，是一种光射出部由氮化物半导体构成、与光射出部相接的涂膜由氧氮化物构成的氮化物半导体发光元件。还有一种氮化物半导体激光元件的制造方法，是制造在共振器端面形成涂膜的氮化物半导体激光元件的方法，包括通过解理形成共振器端面的工序和在共振器端面形成由氧氮化物构成的涂膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 激光 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光元件，是在光射出部形成有涂膜的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述光射出部由氮化物半导体构成，与所述光射出部相接的涂膜由氧氮化物构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610171711.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：医用输液调温器
- 下一篇：一种无源光网络PON系统光纤回路断线之侦测装置
