[发明专利]固体摄像装置有效
申请号: | 200610171712.5 | 申请日: | 2006-12-15 |
公开(公告)号: | CN101005091A | 公开(公告)日: | 2007-07-25 |
发明(设计)人: | 有本护;中岛勇人;中茎俊朗 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H04N5/335 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本国大阪府守*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种固体摄像装置,该固体摄像装置具备多个像素和分别配置在多个像素的传输栅电极。而且,在摄像期间内位于各像素间的边界部的传输栅电极的断开电压,比在传输期间内位于各像素间的边界部的断开电压低。从而,可以抑制混色或暗电流的产生,且可以提高电子(信号电荷)的传输效率。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
【主权项】:
1.一种固体摄像装置,其中包括:多个像素;和分别配置在所述多个像素的传输栅电极,在摄像期间内至少位于各像素间的边界部附近的所述传输栅电极的断开电压,比在传输期间内所述至少位于各像素间的边界部附近的所述传输栅电极的断开电压低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的