[发明专利]在半导体衬底上制造集成电路的方法无效
| 申请号： | 200610171748.3 | 申请日： | 2006-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1992226A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | T·赫克特;H·伯恩哈德特;C·卡普泰恩 | 申请（专利权）人： | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/8238;H01L21/20;H01L27/04;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢江;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 集成电路器件包括导电层和多晶硅层，其中该集成电路器件进一步包括中间相反应力层。该中间相反应力层被布置于多晶硅层和导电层之间，并且能够实现该多晶硅层的应力降低的晶化。此外，该中间相反应力层在多晶硅晶化温度时以及在该多晶硅晶化温度以下是非晶的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 制造 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在半导体衬底上制造集成器件的方法，包括以下步骤：-在所述半导体衬底上设置导电层；-在所述导电层上设置非晶相反应力层，所述非晶相反应力层在多晶硅晶化温度时以及在该多晶硅晶化温度以下是非晶的；-在所述非晶相反应力层上设置处于非晶状态的硅层；以及-将包括所述导电层、所述非晶相反应力层和所述硅层在内的所述衬底加热到至少所述多晶硅晶化温度，以便所述非晶硅层将其状态改变为多晶状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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