[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610171763.8 | 申请日： | 2006-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1996614A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 白贤锡;李银河;丁炫硕;韩成基;梁旼镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防止栅电极劣化和栅极电流泄漏的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：在半导体衬底上的包括H－k(高介电常数)材料的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上的包括铝合金的阻挡金属层；以及，形成在阻挡金属层上的栅电极层。示例性地，该阻挡金属层包括TaAlN(氮化钽铝)或TiAlN(氮化钛铝)中的至少一种。阻挡金属层可以包括抗氧化材料从而防止后续的氧气氛中半导体器件的退火期间阻挡金属层的氧化。因此，防止了栅电极的劣化，并防止了栅电极劣化所致的栅极电流泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上的包括高介电常数材料的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上的包括铝合金的阻挡金属层；以及形成在所述阻挡金属层上的栅电极层。
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