[发明专利]半导体激光装置及半导体激光元件无效
| 申请号： | 200610171853.7 | 申请日： | 2006-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1972045A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 松本晃广 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在层积焊料层(71)的半导体激光元件(32)的最表面部(55)中，在发光区(40)的长边方向(X)及与半导体激光元件(32)、焊料层(71)及装配台(72)的层积方向垂直的宽度方向(Y)上，通过发光区(40)的中央，并且在从与上述宽度方向(Y)垂直的假想一平面到宽度方向(Y)的外侧预先设定的第二距离(L3)的范围(60)内，沿长边方向(X)，形成比发光区(40)的长度(L6)更短、并且与上述焊料层(71)不完全粘接的不完全粘接层(51)。不完全粘接层(51)或者不与焊料层(71)粘接，或以不完全状态粘接焊料层(71)。此外，在最表面部(55)中除不完全粘接层(51)外的剩余部分，形成完全粘接层(53)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 元件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光装置(31，131)，通过焊料层(71)粘接形成有带状发光区域(40)的半导体激光元件(32、132)和装配台(72)而形成，其特征在于，层积有上述焊料层(71)的半导体激光元件(32、132)的最表面部(55)具有导电性，在其最表面部(55)中，在上述发光区域(44)的长边方向(X)以及与半导体激光元件(32、132)、焊料层(71)以及装配台(72)的层积方向垂直的宽度方向(Y)上，通过发光区域(40)的中央，并且在从与上述宽度方向(Y)垂直的假想一平面到在宽度方向(Y)的外侧分别预先设定的距离(L3)为止的范围(60)内，沿上述长边方向(X)，形成比发光区域(40)的长边方向(X)的长度(L6)更短且与上述焊料层(71)不完全粘接的不完全粘接区域(68)，在除上述不完全粘接区域(68)外的剩余区域，形成与上述焊料层(71)粘接的完全粘接区域(69)。
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