[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200610171894.6 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1967877A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 申铉亿 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/43;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管及其制造方法，该晶体管能够减少漏极和源极的金属层导致的衬底的应力，该薄膜晶体管包括衬底；布置在衬底上并包括源极区和漏极区以及沟道区的半导体层；布置在包括半导体层的衬底上的栅绝缘层；布置在栅绝缘层上以对应于半导体层的沟道区的栅极；布置在包括栅极的衬底上并具有和半导体层的源极区和漏极区连接的接触孔的中间绝缘层；和通过接触孔与源极区和漏极区连接的源极和漏极，其中源极和漏极包括第一金属层、第二金属层和插在第一金属层和第二金属层之间的金属氧化层。因此，薄膜晶体管可以减少源极和漏极的金属层导致的衬底的应力，由此改善了有机发光二极管显示器的产量。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管，包括：衬底；布置在衬底上并包括源极区和漏极区以及沟道区的半导体层；布置在包括半导体层的衬底上的栅绝缘层；布置在栅绝缘层上以对应于半导体层的沟道区的栅极；布置在包括栅极的衬底上并具有和半导体层的源极区和漏极区连接的接触孔的中间绝缘层；和通过接触孔与源极区和漏极区连接的源极和漏极，其中源极和漏极包括第一金属层、第二金属层和插在第一金属层和第二金属层之间的金属氧化层。
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