[发明专利]具有改进的热性能的半导体封装无效
| 申请号： | 200610172047.1 | 申请日： | 2006-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101123248A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 张晓天;张衍国;李文清;黄品豪;刘凯;孙明 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/18;H01L23/36;H01L23/488;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明涉及一种复合半导体封装，该封装包括具有第一和第二芯片粘合区的引线框架，且第一和第二芯片粘合区之间具有大侧向分离，粘合到第一芯片粘合区的第一器件，粘合到第二芯片粘合区的第二器件，连接到第一芯片粘合区的多条第一引线，连接到第二芯片粘合区的多条第二引线，以及覆盖引线框架，第一和第二器件以及多条第一和第二引线的至少一部分的密封材料。该封装可以是具有共漏MOSFET对和IC的TSSOP－8复合封装。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 性能 半导体 封装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装，其特征在于，该半导体封装包括：具有第一和第二芯片粘合区的引线框架，该第一和第二芯片粘合区之间具有大侧向分离；粘合到第一芯片粘合区的第一器件；粘合到第二芯片粘合区的第二器件；连接到第一芯片粘合区的多条第一引线；连接到第二芯片粘合区的多条第二引线；和覆盖引线框架，第一和第二器件以及多条第一和第二引线的至少一部分的密封材料。
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