[发明专利]具有直径控制的接触的多位相变随机存取存储器(PRAM)及其制造和编程方法有效
| 申请号： | 200610172083.8 | 申请日： | 2006-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1996609A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 郑元哲;金亨俊;李世昊;朴哉炫;郑椙旭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种相变随机存取存储器(PRAM)器件，包括：硫化物元件，该硫化物元件包括能够基于加热电流的应用而呈现晶体状态或非晶状态的材料。第一接触，连接到硫化物元件的第一区域，并具有第一横截面。第二接触，连接到硫化物元件的第二区域，并具有第二横截面。硫化物材料的第一可编程体积限定在硫化物元件的第一区域中，第一可编程体积的状态可以根据与第一接触相关联的阻抗来编程。硫化物材料的第二可编程体积限定在硫化物元件的第二区域中，第二可编程体积的状态可以根据与第二接触相关联的第二阻抗来编程。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 直径 控制 接触 相变 随机存取存储器 pram 及其 制造 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变随机存取存储器(PRAM)器件，包括：硫化物元件，该硫化物元件包括能够基于加热电流的应用而呈现晶体状态或非晶状态的材料；第一接触，连接到硫化物元件的第一区域，并具有第一横截面；以及第二接触，连接到硫化物元件的第二区域，并具有第二横截面，其中：硫化物材料的第一可编程体积限定在硫化物元件的第一区域中，第一可编程体积的状态根据与第一接触相关联的阻抗是可编程的；以及硫化物材料的第二可编程体积限定在硫化物元件的第二区域中，第二可编程体积的状态根据与第二接触相关联的第二阻抗是可编程的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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