[发明专利]非易失性半导体存储装置及其改写方法无效
| 申请号： | 200610172099.9 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101004951A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 土岐和启;永井裕康;三角贤治;小谷秀人 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在具有陷阱层的非易失性存储单元中，通过具有确保任意的等待时间的第一电荷注入(121)、和在改写时序中于第一电荷注入后实施的第二电荷注入(122)，利用刚刚写入之后的初期变动(极短时间内的与周边电荷的结合所引起的电荷损失现象)，降低使数据保持特性恶化的周边电荷，在此基础上进一步通过弥补因初期变动而减少的电荷损失量，来提高此后的数据保持特性。其中，仅在达到规定判断电平时实施第二电荷注入。这样可抑制具有陷阱层的非易失性存储单元的数据保持特性的恶化。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 及其 改写 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储装置的改写方法，该非易失性半导体存储装置具有陷阱层，在改写时，包括第一电荷注入步骤、和在所述第一电荷注入步骤之后实施的第二电荷注入步骤，在所述第一电荷注入步骤中，在实施电荷注入直至任意的阈值电压之后，确保任意的等待时间，在所述第二电荷注入步骤中，仅在达到任意的判断电平时实施电荷注入直至任意的阈值电压。
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