[发明专利]窄间隙电流垂直平面磁致电阻传感器无效
| 申请号： | 200610172113.5 | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1992367A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 马斯塔法·M·皮纳巴西 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G01R33/09;G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种避免了自旋转矩噪声且同时具有高的dr/R性能和小间隙的电流垂直平面(CPP)磁致电阻传感器。该传感器是双磁致电阻传感器，具有第一和第二被钉扎层以及设置在所述两个被钉扎层之间的自由层。该被钉扎层之一通过与AFM层交换耦合而被钉扎，而另一个被钉扎层通过形状增强磁各向异性而自钉扎，没有使用AFM层。该自钉扎层从ABS延伸至比该AFM被钉扎层和该自由层的条高距离大的延长的条高距离。 | ||
| 搜索关键词： | 间隙 电流 垂直 平面 致电 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种具有气垫面的电流垂直平面(CPP)磁致电阻传感器，该传感器包括：第一磁被钉扎层结构，该第一被钉扎层结构从该ABS延伸至第一条高距离；第二磁被钉扎层结构，该第二被钉扎层结构从该ABS延伸至第二条高距离，终止于该第二条高距离；磁自由层结构，位于该第一和第二被钉扎层结构之间；第一非磁导电间隔层，夹在该第一被钉扎层结构和该自由层之间；以及第二非磁导电间隔层，夹在该第二被钉扎层结构和该自由层之间。
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