[发明专利]具有旁路晶体管的非易失性存储器件及其操作方法无效
| 申请号： | 200610172133.2 | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101114520A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 金元柱;金锡必;玄在雄;朴允童;具俊谟 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10;G11C16/26;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 吕晓章;李晓舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种能够同时克服NAND型闪存器件和NOR型闪存器件的缺点的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括与一个串连接并与该串相交第一和第二位线。第一和第二存储晶体管被包括在第一和第二位线之间的串中并分别包括控制栅极和存储节点。第一旁路晶体管被包括在第一位线和第一存储晶体管之间的串中并包括第一旁路栅极。第二旁路晶体管被包括在第二存储晶体管和第二位线之间的串中并包括第二旁路栅极。第三旁路晶体管被包括在第一和第二存储晶体管之间的串中并包括第三旁路栅极。第三位线被连接到第三旁路晶体管的沟道上。以及，字线被共同连接到第一和第二存储晶体管中每一个的控制栅极上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 旁路 晶体管 非易失性存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：连接到一个串并与该串相交的第一和第二位线；包括在第一和第二位线之间的串中且每一个都具有控制栅极和存储节点的第一和第二存储晶体管；包括在第一位线和第一存储晶体管之间的串中并包括第一旁路栅极的第一旁路晶体管；包括在第二存储晶体管和第二位线之间的串中并包括第二旁路栅极的第二旁路晶体管；包括在第一和第二存储晶体管之间的串中并包括第三旁路栅极的第三旁路晶体管；连接到第三旁路晶体管的沟道上的第三位线；和共同连接到第一和第二存储晶体管中的每一个的控制栅极的字线。
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