[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
申请号: | 200610172428.X | 申请日: | 2006-12-27 |
公开(公告)号: | CN101106131A | 公开(公告)日: | 2008-01-16 |
发明(设计)人: | 彭远清;陈欣仪;卢叙伟;林学仕;陈伟铭 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L27/092;H01L27/11;H01L27/04;H01L23/522;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/8244;H01L21/822;H01L21/768 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高龙鑫 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法,其采用栅极置换工艺。半导体结构具有端接接触部结构(butted contact),其电性连接源极/漏极至栅极延伸部(gate extension)。上述的半导体结构还包括设于源极/漏极上并与其电性连接的接触垫。接触垫可降低电阻,也可减少端接接触部与源极/漏极间断路(open)的可能性。接触垫的上表面优选与栅极延伸部等高。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体结构,其特征在于,包括:一浅沟槽绝缘区,位于一基板中;一第一晶体管,包括一栅极位于该基板上,以及一源极/漏极邻接该浅沟槽绝缘区;一栅极延伸部,位于该浅沟槽绝缘区之上,且电性连接至一第二晶体管的一栅极;一端接接触部,位于该栅极延伸部之上,并电性连接至该栅极延伸部;一接触垫,电性连接该端接接触部与该第一晶体管的该源极/漏极,其中该接触垫位于该端接接触部之下,且该接触垫的上表面实质上与该栅极延伸部的上表面等高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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