[发明专利]半导体结构及其形成方法有效

专利信息
申请号: 200610172428.X 申请日: 2006-12-27
公开(公告)号: CN101106131A 公开(公告)日: 2008-01-16
发明(设计)人: 彭远清;陈欣仪;卢叙伟;林学仕;陈伟铭 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/088 分类号: H01L27/088;H01L27/092;H01L27/11;H01L27/04;H01L23/522;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/8244;H01L21/822;H01L21/768
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 高龙鑫
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种半导体结构及其形成方法,其采用栅极置换工艺。半导体结构具有端接接触部结构(butted contact),其电性连接源极/漏极至栅极延伸部(gate extension)。上述的半导体结构还包括设于源极/漏极上并与其电性连接的接触垫。接触垫可降低电阻,也可减少端接接触部与源极/漏极间断路(open)的可能性。接触垫的上表面优选与栅极延伸部等高。
搜索关键词: 半导体 结构 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种半导体结构,其特征在于,包括:一浅沟槽绝缘区,位于一基板中;一第一晶体管,包括一栅极位于该基板上,以及一源极/漏极邻接该浅沟槽绝缘区;一栅极延伸部,位于该浅沟槽绝缘区之上,且电性连接至一第二晶体管的一栅极;一端接接触部,位于该栅极延伸部之上,并电性连接至该栅极延伸部;一接触垫,电性连接该端接接触部与该第一晶体管的该源极/漏极,其中该接触垫位于该端接接触部之下,且该接触垫的上表面实质上与该栅极延伸部的上表面等高。
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