[发明专利]半导体器件中的电容器及制造方法无效
| 申请号： | 200610172434.5 | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1992353A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李载晰 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L27/02;H01L21/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件中的电容器，包括：衬底；下部电极，其形成于所述衬底上方；扩散阻挡层，其形成于所述下部电极上方；多个团块，其形成于所述扩散阻挡层上方；介电层，其形成于所述团块的表面上方以形成不平坦的表面；以及上部电极，其形成于所述介电层上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 中的 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容器，包括：衬底；下部电极，其形成于所述衬底上方；扩散阻挡层，其形成于所述下部电极上方；多个团块，其形成于所述扩散阻挡层上方； 介电层，其覆盖着所述团块并因所述团块而具有不平坦的表面；以及上部电极，其形成于所述介电层上方。
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