[发明专利]用于半导体器件的电感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610172436.4 | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1992270A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 金南柱 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/822;H01L21/02;H01F17/00;H01F41/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于半导体器件的电感器，包括：第一层间介电体，其形成在硅衬底的顶部上；至少一个第一金属线，其形成在该第一层间介电体的顶部上；第二层间介电体，其形成在该第一层间介电体的顶部上，以覆盖所述第一金属线；至少一个第二金属线，其形成在该第二层间介电体的顶部上，并连接着所述第一金属线；以及上保护膜，其形成于该第二层间介电体的顶部上，以覆盖所述第二金属线；其中，所述第一金属线和第二金属线交替布置并形成为螺旋形结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 电感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体器件的电感器，包括：第一层间介电体，其形成在硅衬底的顶部上；至少一个第一金属线，其形成在该第一层间介电体的顶部上；第二层间介电体，其形成在该第一层间介电体的顶部上，以覆盖所述第一金属线；至少一个第二金属线，其形成在该第二层间介电体的顶部上，并连接所述第一金属线；以及上保护膜，其形成于该第二层间介电体的顶部上，以覆盖所述第二金属线；其中，所述第一金属线和第二金属线交替布置并形成为螺旋形结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
