[发明专利]掩膜坯及变换掩膜的制造方法有效
| 申请号： | 200610172701.9 | 申请日： | 2004-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1983028A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 小林英雄;樋口孝雄 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F1/00;G03F7/004;G03F7/16;B05D1/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有衬底的掩膜坯，包括：在衬底上形成以能变成变换为目标的变换图案的薄膜；和在薄膜上形成的保护膜。其中在辅助图案形成区域中保护膜的最大厚度和关键区中保护膜的平均厚度之间的差值不大于该平均厚度的一半，辅助图案形成区域环绕形成主图案的关键区。在保护膜形成(抗蚀剂涂覆)过程中旋转衬底时，排气件执行排气操作，以能沿着衬底的上表面从衬底的中心到衬底的外周缘部产生气流，以便能够抑制通过旋转衬底在衬底的外周缘部形成的抗蚀溶液的浆液移向衬底的中心。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜坯 变换 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有衬底的掩膜坯，包括：在衬底上形成以能变成变换为目标的变换图案的薄膜；和在薄膜上形成的保护膜；其中在辅助图案形成区域中保护膜的最大厚度和关键区中保护膜的平均厚度之间的差值不大于该平均厚度的一半，辅助图案形成区域环绕形成主图案的关键区。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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