[发明专利]可编程电阻随机存取存储器及其制造方法有效
申请号: | 200610172713.1 | 申请日: | 2006-12-28 |
公开(公告)号: | CN101000919A | 公开(公告)日: | 2007-07-18 |
发明(设计)人: | 何家骅;赖二琨;谢光宇 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L27/115;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/8247;H01L21/768 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 韩宏 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种可编程电阻随机存取存储器单元,其具有与此可编程电阻元件尺寸相关的电阻。本发明还公开此具有均匀电阻值的可编程电阻元件的制造方法及集成电路,此元件具有比层间接触截面小的截面积。 | ||
搜索关键词: | 可编程 电阻 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具有非易失性存储单元的集成电路,包括:多个导体行,对该非易失性存储单元按行进行存取;该导体行之上的一个或多个介质层;层间接触点,其具有穿过该一个或多个介质层的大致均匀的截面,以电连接可编程电阻元件与该导体行;该非易失性存储单元的该可编程电阻元件,具有小于该层间接触点的该截面的截面,该可编程电阻元件包括:邻近于该层间接触点的第一端;第二端;以及多个导体列,对该非易失性存储单元按列进行存取,该导体列邻近于该可编程电阻元件的该第二端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610172713.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:升降设备对讲机的母机
- 下一篇:原位颗粒增强耐热铝基复合材料
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的