[发明专利]非易失半导体存储器装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610172731.X | 申请日： | 2006-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101114677A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 申尚旻;薛光洙;陈暎究 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/51;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种使用电荷俘获层作为存储节点的非易失半导体存储器装置及其制造方法。该非易失半导体存储器装置包括形成在半导体衬底上的隧穿绝缘层、在隧穿绝缘层上的由掺杂过渡金属的介电层形成的电荷俘获层、形成在电荷俘获层上的阻挡绝缘层和形成在阻挡绝缘层上的栅电极。该介电层是高k介电层，例如HfO2层。因此，非易失半导体存储器装置的数据保持特性能够改善，因为通过向高k介电层掺杂过渡金属而形成了深陷阱。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 半导体 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失半导体存储器装置，包括：隧穿绝缘层，形成在半导体衬底上；电荷俘获层，形成在所述隧穿绝缘层上且由掺杂过渡金属的介电层形成；阻挡绝缘层，形成在所述电荷俘获层上；和栅电极，形成在所述阻挡绝缘层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610172731.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：获取运行数据的方法和装置
- 下一篇：月面巡视探测器机电控一体化轮
- 同类专利
- 专利分类
