[发明专利]场效应晶体管及其制造方法

摘要

提供了一种沟槽型场效应晶体管，它包括(a)半导体衬底；(b)在半导体衬底中延伸至预定深度的沟槽；(c)位于沟槽两侧的一对掺杂源结；(d)位于沟槽两侧的每个源结附近的掺杂重掺杂体，此重掺杂体的最深部分在所述半导体衬底中延伸的深度比沟槽的预定深度浅；以及(e)位于重掺杂体下面并包围重掺杂体的掺杂阱。

主权项

1.一种晶体管单元阵列，其特征在于包括：半导体衬底；基本上相互平行排列且沿第一方向延伸的多个栅极形成沟槽，相邻沟槽之间的空间限定一接触区，每个沟槽在所述衬底中延伸预定的深度，此预定深度对所有所述栅极形成沟槽基本上是相同的；包围每个沟槽且位于沟槽两侧并沿沟槽的长度延伸的一对掺杂的源结；位于每对栅极形成沟槽之间且位于每个源结附近的掺杂重掺杂体，每个所述重掺杂体的最深部分在所述半导体衬底中延伸的深度比所述沟槽的所述预定深度浅；在重掺杂体下面且包围每个重掺杂体的掺杂阱；以及位于半导体衬底表面并沿接触区的长度交替排列的p+和n+触点。