[发明专利]闪存器件的浮置栅极的制造方法无效
| 申请号： | 200610173266.1 | 申请日： | 2006-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1988111A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 金成均 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种形成闪存器件的浮置栅极的方法，包括：在半导体衬底上形成隧道绝缘层；在该隧道绝缘层上形成浮置栅极导电层；在该浮置栅极导电层上形成硬掩模层图案；在该硬掩模层图案和该浮置栅极导电层的露出表面上形成第二导电层；蚀刻该第二导电层以在该硬掩模层图案的侧壁上形成导电间隔层；氧化该导电间隔层和该浮置栅极导电层以形成掩模氧化物层和间隔氧化物层；除去该硬掩模层图案以部分地露出该浮置栅极导电层的表面；以及通过使用该掩模氧化物层和该间隔氧化物层作为蚀刻掩模进行蚀刻处理，除去该浮置栅极导电层的露出部分，从而形成浮置栅极图案。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 栅极 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种闪存器件的浮置栅极的制造方法，包括：在半导体衬底上形成隧道绝缘层；在该隧道绝缘层上形成浮置栅极导电层；在该浮置栅极导电层上形成硬掩模层图案；在该硬掩模层图案和该浮置栅极导电层的露出表面上形成第二导电层；蚀刻该第二导电层以在该硬掩模层图案的侧壁上形成导电间隔层；氧化该导电间隔层和该浮置栅极导电层以形成掩模氧化物层和间隔氧化物层；除去该硬掩模层图案以部分地露出该浮置栅极导电层的表面；以及通过使用该掩模氧化物层和该间隔氧化物层作为蚀刻掩模进行蚀刻处理，除去该浮置栅极导电层的露出部分，从而形成浮置栅极图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部电子股份有限公司，未经东部电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610173266.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有弓形弹簧形式的联锁机构的伸缩式吸尘器吸管
- 下一篇：多层电容器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
