[发明专利]铜籽晶层沉积温度的监测方法及铜层的形成方法无效
| 申请号： | 200610173269.5 | 申请日： | 2006-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101008614A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 朱星中;李汉春 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/55 | 分类号： | G01N21/55;C25D5/34;C25D5/54;C25D7/12;H05K3/00;H01L21/288;H01L21/445 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种铜籽晶层沉积温度的监测方法及铜层的形成方法。其中该监测方法包括如下步骤：测量沉积在衬底上的铜籽晶层的光反射率；以及通过将测量到的光反射率与未发生凝聚现象的基准铜籽晶层的基准光反射率进行比较，来估算该铜籽晶层的沉积温度。该估算步骤包括：如果测量到的反射率小于基准光反射率，则将铜籽晶层的沉积温度估算为高于约－25℃的温度，其中－25℃是用于沉积基准铜籽晶层的基准沉积温度。 | ||
| 搜索关键词： | 籽晶 沉积 温度 监测 方法 形成 | ||
【主权项】：
1、一种方法，包括如下步骤：测量铜籽晶层的光反射率，以确定光反射率测量值；以及由该光反射率测量值来估算该铜籽晶层的沉积温度。
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