[发明专利]用于扩展外延生长晶格结构的修复方法无效
| 申请号： | 200610173285.4 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101008105A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | G·C·舒伯特 | 申请（专利权）人： | 联合工艺公司 |
| 主分类号： | C30B19/00 | 分类号： | C30B19/00;C30B19/12;C30B33/00;B23K9/00;B23K9/04;B23K9/23;B23P6/00;F01D5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 蔡民军;黄力行 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于扩展外延生长晶格结构的修复方法。该修复方法大致包括以下步骤，即：提供被修复的基体；将作为预成形状的附加材料设置在被修复基体的区域上；使用热源将整个所述附加材料和附加材料附近的区域加热至熔化温度；以足以允许晶粒增长和取向的时间保持所述熔化温度；以及以预定的控制速度降低热源直至完成固化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 扩展 外延 生长 晶格 结构 修复 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于修复工件的方法，该方法包括：提供被修复的基体；将作为预成形状的附加材料设置在被修复基体的区域上；使用热源将整个所述附加材料和附加材料附近的区域加热至熔化温度；以足以允许晶粒增长和定向的时间保持所述熔化温度；以及以预定的控制速度降低热源直至完成固化。
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