[发明专利]使用利文森型掩模的图形形成方法及该掩模的制造方法有效
| 申请号： | 200610173295.8 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1983024A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 奥野满;茂庭明美 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种图形形成方法，包括具有第一最小尺寸(Dmin1)的第一图形部(10a)和第二最小尺寸(Dmin2)的第二图形部(10b)，其中包括使用利文森型掩模进行曝光的第一曝光步骤和使用半色调型掩模进行曝光的第二曝光步骤。第二最小尺寸(Dmin2)为第一最小尺寸(Dmin1)的1.3倍以上时，第二曝光步骤的曝光量设为第一曝光步骤的曝光量以下。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 利文森型掩模 图形 形成 方法 制造 | ||
【主权项】：
1.一种图形形成方法，该图形包含第一图形和第二图形，该第一图形具有作为跨越尺寸中最小尺寸的第一最小尺寸，该第二图形具有作为跨越尺寸中最小尺寸的第二最小尺寸，其中，包含：第一曝光步骤，使用利文森型掩模，进行形成所述第一图形的曝光；第二曝光步骤，使用半色调型掩模，进行形成所述第二图形的曝光，所述第二最小尺寸为所述第一最小尺寸的1.3倍以上的情况下，第二曝光步骤的曝光量在所述第一曝光步骤的曝光量以下。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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