[实用新型]一种向处理室中的等离子体耦合RF能量的内部天线无效
申请号: | 200620002334.3 | 申请日: | 2006-02-09 |
公开(公告)号: | CN2935498Y | 公开(公告)日: | 2007-08-15 |
发明(设计)人: | 凯斯·A·米勒;徐根华;钟生德;马亨达·巴格瓦特·洛哈德 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01Q1/22 | 分类号: | H01Q1/22;H01Q7/00;H01L21/00 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵飞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于向具有壁的处理室中的等离子体耦合能量的天线,该天线包括线圈,该线圈具有暴露向所述室中的等离子体的表面。多个支撑架将线圈支撑在距离处理室的壁已设置间隔处,其中至少一个支撑架包括通过其从外部功率源向所述线圈提供电功率的端子。该端子包括具有第一长度L1的导体插座和围绕导体插座的罩体,该罩体具有第二长度L2。长度L1大于长度L2。导体杯是围绕具有端子的支撑架设置的。 | ||
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【主权项】:
1.一种用于向处理室中的等离子体耦合RF能量的内部天线,其中所述处理室具有壁,其特征在于:所述天线包括:(a)线圈,该线圈具有暴露向所述室中的等离子体的表面;(b)多个支撑架,用于将所述线圈支撑在距离所述处理室的壁一定间隔处,其中至少一个支撑架包括通过其从外部功率源向所述线圈提供电功率的端子,该端子包括(i)具有第一长度L1的导体插座;和(ii)围绕所述导体插座的具有第二长度L2的罩体,所述第二长度L2小于所述第一长度L1;以及(c)围绕具有所述端子的所述支撑架的导体杯。
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