[实用新型]高功率发光二极管无效
| 申请号： | 200620003359.5 | 申请日： | 2006-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN200972860Y | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 吴易座;庄世任;张嘉显 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L23/488;H01L23/34 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 台湾省台北县土*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高功率发光二极管，包含一基材，此基材为一导体散热块，其上表面具有一底部平坦且侧壁倾斜的凹杯。一导电插塞配置在此基材中，作为发光半导体组件的电源接点。一绝缘插塞配置在导电插塞与导体散热块之间，用来隔绝导电插塞及导体散热块的电性连接。发光半导体组件固定于凹杯中，并与基材电性连结。一包覆层位于填充凹杯中并包覆发光半导体组件。一保护层覆盖在包覆层的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种高功率发光二极管封装结构，其特征是，该结构包含：一导体散热块，其上表面具有一凹杯；一发光半导体组件，固定在该导体散热块凹杯内，并与该导体散热块电性连结；一导电插塞，配置于该导体散热块间，并与该发光半导体组件电性连结；一绝缘插塞，配置于该导电插塞与该导体散热块间，隔绝该导电插塞及该导体散热块；一包覆层，填充于该凹杯中，并包覆该发光半导体组件；以及一保护层，覆盖于该包覆层之上表面。
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