[实用新型]静电放电装置无效
申请号: | 200620004163.8 | 申请日: | 2006-03-03 |
公开(公告)号: | CN200941385Y | 公开(公告)日: | 2007-08-29 |
发明(设计)人: | 黄志丰;简铎欣;林振宇;杨大勇 | 申请(专利权)人: | 崇贸科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/60 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种静电放电(ESD)装置,其在IC正常运作期间充当一个二极管且在一静电放电事件期间充当一个SCR。为形成一等效SCR结构,所述ESD装置包括形成于一N阱的内部的多个N+区域和多个P+区域。所述多个P+区域和所述多个N+区域在一序列中彼此相邻而形成,且位于所述序列的两端处的所述区域是所述N+区域。另外,所述ESD装置与一衬垫集成且形成于所述衬垫下方。此外,由于所述衬垫具有一较大表面积且为板状,且因此是一优良电导体,使得所述ESD装置中的电流能够均匀地分布。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 装置 | ||
【主权项】:
1.一种静电放电装置,其特征在于其包括:一P衬底;一N阱,其形成于所述P衬底中;一第一N+区域,其形成于该P衬底中,所述第一N+区域与所述N阱相隔离;一第一P+区域,其形成于该P衬底中,所述第一P+区域与所述N阱和所述第一N+区域相隔离;多个形成于所述N阱的内部的第二P+区域;多个形成于所述N阱的内部的第二N+区域,所述第二N+区域中的两个N+区域位于所述N阱的两边界旁;一第一电极,其经由一第一电导体连接到至少一个所述第二N+区域和至少一个邻接于所述第二N+区域旁的所述第二P+区域,其中所述第一电导体由一金属制成;和一第二电极,其经由一第二电导体连接到至少一个所述第一P+区域和至少一个所述第一N+区域,其中所述第二电导体由所述金属制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的