[实用新型]静电放电装置无效

专利信息
申请号: 200620004163.8 申请日: 2006-03-03
公开(公告)号: CN200941385Y 公开(公告)日: 2007-08-29
发明(设计)人: 黄志丰;简铎欣;林振宇;杨大勇 申请(专利权)人: 崇贸科技股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/60
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 实用新型提供一种静电放电(ESD)装置,其在IC正常运作期间充当一个二极管且在一静电放电事件期间充当一个SCR。为形成一等效SCR结构,所述ESD装置包括形成于一N阱的内部的多个N+区域和多个P+区域。所述多个P+区域和所述多个N+区域在一序列中彼此相邻而形成,且位于所述序列的两端处的所述区域是所述N+区域。另外,所述ESD装置与一衬垫集成且形成于所述衬垫下方。此外,由于所述衬垫具有一较大表面积且为板状,且因此是一优良电导体,使得所述ESD装置中的电流能够均匀地分布。
搜索关键词: 静电 放电 装置
【主权项】:
1.一种静电放电装置,其特征在于其包括:一P衬底;一N阱,其形成于所述P衬底中;一第一N+区域,其形成于该P衬底中,所述第一N+区域与所述N阱相隔离;一第一P+区域,其形成于该P衬底中,所述第一P+区域与所述N阱和所述第一N+区域相隔离;多个形成于所述N阱的内部的第二P+区域;多个形成于所述N阱的内部的第二N+区域,所述第二N+区域中的两个N+区域位于所述N阱的两边界旁;一第一电极,其经由一第一电导体连接到至少一个所述第二N+区域和至少一个邻接于所述第二N+区域旁的所述第二P+区域,其中所述第一电导体由一金属制成;和一第二电极,其经由一第二电导体连接到至少一个所述第一P+区域和至少一个所述第一N+区域,其中所述第二电导体由所述金属制成。
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