[实用新型]可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构无效

专利信息
申请号: 200620007618.1 申请日: 2006-03-10
公开(公告)号: CN2909530Y 公开(公告)日: 2007-06-06
发明(设计)人: 资重兴 申请(专利权)人: 资重兴
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/488
代理公司: 北京元中知识产权代理有限责任公司 代理人: 王明霞
地址: 226500江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型是一种可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构,其包括含一具有复数个电极接点的芯片;至少一层叠于该芯片上的金属层,各金属层与电极接点之间是以第一金属导线电性连接;又设置于各金属层上的导线架,各导线架与各电极接点及金属层之间是以第二金属导线电性连接;多数电性连接于各导线架间的噪声抑制单元;以及一封胶体将金属层、导线架与金属导线充填包覆并加以封装之。藉此,可使该晶体管利用噪声抑制单元来降低高频电路中的噪声(SWITCHING NOISE)。
搜索关键词: 降低 晶体管 高频 讯号 噪声 控制 结构
【主权项】:
权利要求书1.一种可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构,其特征在于,其包括:一芯片,该芯片具有复数个电极接点;复数个金属层,该金属层是以黏着于该芯片上,且该金属层与该电极接点之间是以一金属导线电性连接;复数个导线架,设置于该金属层上,且该导线架与该电极接点及该金属层之间是以该金属导线电性连接;至少一噪声抑制单元,该噪声抑制单元是电性连接于该导线架之间;以及一封胶体,将该金属层、该导线架与该金属导线填充包覆封装。
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