[实用新型]薄膜覆晶封装构造及覆晶封装的COF薄膜卷带无效
| 申请号： | 200620012274.3 | 申请日： | 2006-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN2922126Y | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 何志文;杨志辉;谢庆堂;蔡坤宪;林志松 | 申请（专利权）人： | 飞信半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型是有关于一种薄膜覆晶封装构造及覆晶封装的COF薄膜卷带，该薄膜覆晶封装构造主要包含一COF薄膜卷带、一晶片以及一封胶体。该COF薄膜卷带包含有一可挠性介电层及一引线层，该可挠性介电层定义有一晶片接合区，该可挠性介电层具有一开口，该开口位于该晶片接合区内并贯穿该可挠性介电层的一上表面与一下表面，该晶片设置于该COF薄膜卷带上且该晶片的复数个凸块电性连接该引线层的复数个第一引线以及复数个第二引线，该封胶体是形成于该晶片与该COF薄膜卷带之间并填入该开口，以密封该些凸块、该些第一引线的复数个第一内接指以及该些第二引线的复数个第二内接指，该开口可避免封胶后的应力残留而造成该可挠性介电层、该晶片与该封胶体形成分层断裂且提高排气的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 封装 构造 cof | ||
【主权项】：
1、一种薄膜覆晶封装构造，其特征在于其包括：一COF薄膜卷带，其是包括有一可挠性介电层及一引线层，该可挠性介电层是具有一上表面、一下表面以及一开口并定义有一晶片接合区，其中该开口是位于该晶片接合区内且贯穿该上表面与该下表面，该引线层是形成于该可挠性介电层上，该引线层是包括复数个第一引线以及复数个第二引线，该些第一引线具有复数个第一内接指，该些第二引线是具有复数个第二内接指；一晶片，其是具有复数个凸块，该晶片是设置于该COF薄膜卷带上，且该些凸块是电性连接该些第一内接指与该些第二内接指；以及一封胶体，其是形成于该晶片与该COF薄膜卷带之间并填入该开口，以密封该些凸块、该些第一内接指与该些第二内接指。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞信半导体股份有限公司，未经飞信半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200620012274.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
