[实用新型]一种法拉第装置无效
申请号: | 200620012985.0 | 申请日: | 2006-04-07 |
公开(公告)号: | CN2906916Y | 公开(公告)日: | 2007-05-30 |
发明(设计)人: | 易文杰;许波涛;龙会跃;姚琛 | 申请(专利权)人: | 北京中科信电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/265;H01L21/66;C23C14/48;H01J37/317 |
代理公司: | 北京中海智圣知识产权代理有限公司 | 代理人: | 曾永珠 |
地址: | 100036北京市海淀区复兴路*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种法拉第装置,包括:石墨盖板、外腔体、插线瓷座、内腔体、绝缘瓷块、抑制电极、法拉第进束窗、石墨挡板。其中石墨盖板位于外腔体一侧,起防尘保护的作用;插线瓷座安装在外腔体上;内腔体是金属腔体,在外腔体内部,通过绝缘瓷块与外腔体相连;抑制电极通过绝缘瓷块固定在内腔体的前方;法拉第进束窗在外腔体上,用于接收离子束;石墨挡板位于外腔体和法拉第进束窗外侧。本实用新型取样精确、结构紧凑、体积小。 | ||
搜索关键词: | 一种 法拉第 装置 | ||
【主权项】:
1.一种法拉第装置,其特征在于:包括石墨盖板、外腔体、插线瓷座、内腔体、绝缘瓷块、抑制电极、法拉第进束窗、石墨挡板,其中石墨盖板位于外腔体一侧,起防尘保护的作用;插线瓷座安装在外腔体上;内腔体是金属腔体,在外腔体内部,通过绝缘瓷块与外腔体相连;抑制电极通过绝缘瓷块固定在内腔体的前方;法拉第进束窗在外腔体上,用于接收离子束;石墨挡板位于外腔体和法拉第进束窗外侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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