[实用新型]一种片式迭层电子元件的内电极引出结构无效
| 申请号： | 200620017074.7 | 申请日： | 2006-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN200965818Y | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 丁晓鸿;施威;肖倩 | 申请（专利权）人： | 深圳振华富电子有限公司 |
| 主分类号： | H01F27/28 | 分类号： | H01F27/28 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 | 代理人： | 李利洪 |
| 地址： | 518109广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种片式迭层电子元件的内电极引出结构，该电子元件包括介质层、内电极线圈和端电极，所述内电极两引出端通过连接点分别连接有一平面结构，该平面结构的边缘从介质层的端面露出与端电极连接在一起。所述的引出端可有多个点或边与端电极连接，增强了迭层片式元件的可靠性，同时，内电极两引出端可以从平面结构的任意位置引出，使用一块网版即可完成内电极引出端的制作，大大降低了生产成本。所述的电子元件内电极引出结构主要应用于电感器、磁珠、滤波器等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 片式迭层 电子元件 电极 引出 结构 | ||
【主权项】：
1、一种片式迭层电子元件的内电极引出结构，该电子元件包括介质层、内电极线圈和端电极，其特征在于：所述内电极两引出端通过连接点分别连接有一平面结构，该平面结构的边缘从介质层的端面露出与端电极连接在一起。
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