[实用新型]影像传感器的封装结构无效
| 申请号： | 200620017149.1 | 申请日： | 2006-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN200983366Y | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 刘玉诚 | 申请（专利权）人： | 刘玉诚 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所 | 代理人： | 胡吉科 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种影像传感器的封装结构，用于电连接至外部电路，其包括：载板、影像感测芯片、多条导线、导线固定物和透光层，该载板包括一上表面和下表面，该影像感测芯片位于该载板的上表面，该多条导线电连接影像感测芯片与外部电路，其中，该导线固定物包覆该多条导线并与该载板形成一个容置空间，该透光层位于该导线固定物之上。本实用新型影像传感器的封装结构体积较小、抗震能力较高、成本较低且成像品质较高。 | ||
| 搜索关键词： | 影像 传感器 封装 结构 | ||
【主权项】：
权利要求书1.一种影像传感器的封装结构，用于电连接至外部电路，其包括：载板、影像感测芯片、多条导线、导线固定物和透光层，该载板包括一上表面和下表面，该影像感测芯片位于该载板的上表面，该多条导线电连接影像感测芯片与外部电路，其特征在于：该导线固定物包覆该多条导线并与该载板形成一个容置空间，该透光层位于该导线固定物之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于刘玉诚，未经刘玉诚许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200620017149.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
