[实用新型]焦平面探测器芯片专用新型阳极硫化参考电极无效

专利信息
申请号: 200620022528.X 申请日: 2006-11-16
公开(公告)号: CN200990385Y 公开(公告)日: 2007-12-12
发明(设计)人: 姚英;田萦;罗云;吕励;王燕;岳义开 申请(专利权)人: 昆明物理研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;C25D11/00
代理公司: 昆明正原专利代理有限责任公司 代理人: 陈左
地址: 650223云南*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 一种焦平面探测器芯片专用新型阳极硫化参考电极,该新型的石墨参考电极代替原有的电极,其独特的梯形底面设计改进了原有电极的不足,提高了硫化工艺的稳定性和可操作性,从而进一步提高碲镉汞芯片表面自身硫化膜层的质量。在其侧面有安装螺钉的开孔,安装螺钉的开孔位于参考电极侧面不低于三分之二的高度位置;螺钉通过导线与外接电源相连;与未改进条件时的电极样品膜厚进行比较证明:便于放置,安放稳定,便于固定参考电极的外接引线,保证了硫化过程中电极之间的固定工作距离,保证了电流密度的均匀性,有效地提高了工艺过程中操作的稳定性、便利性、工艺可重复性。
搜索关键词: 平面 探测器 芯片 专用 新型 阳极 硫化 参考 电极
【主权项】:
1、一种焦平面探测器芯片专用新型阳极硫化参考电极,其特征在于:参考电极(1)的底面为梯形,在其侧面有安装螺钉(3)的开孔(2),螺钉通过导线与外接电源(7)相连。
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