[实用新型]晶体生长的石英坩埚镀碳膜装置无效

专利信息
申请号: 200620035962.1 申请日: 2006-10-23
公开(公告)号: CN200958115Y 公开(公告)日: 2007-10-10
发明(设计)人: 赵北君;朱世富;张建军;何知宇;陈宝军;唐世红 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/02;C23C16/56
代理公司: 成都科海专利事务有限责任公司 代理人: 黄幼陵
地址: 610065四*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种晶体生长的石英坩埚镀碳膜装置,包括加热炉、放置被镀膜石英坩埚的沉淀室和供气控制器。加热炉包括炉体、安装在炉体上的加热元件和控温测温器,炉体的炉膛下部设置有用于安放沉淀室的支座;沉淀室包括一端开口的管状本体和封闭管状本体端口的塞子,所述塞子上插有与管状本体内孔相通的进气管和排气管;供气控制器包括输气管系和控制阀,所述输气管系含有两条分别与插入沉淀室管状本体的进气管和插入被镀膜石英坩埚的进气管连接的输气管,设置有甲烷气体进口和惰性保护气体进口,所述控制阀安装在输气管系的管路上,控制惰性保护气体进入沉淀室管状本体和被镀膜石英坩埚及控制甲烷气体进入被镀膜石英坩埚。
搜索关键词: 晶体生长 石英 坩埚 镀碳膜 装置
【主权项】:
1、一种晶体生长的石英坩埚镀碳膜装置,其特征在于包括加热炉、放置被镀膜石英坩埚的沉淀室(8)和供气控制器(11),加热炉包括炉体(1)、安装在炉体上的加热元件(4)、控温器,炉体的炉膛(5)下部设置有用于安放沉淀室的支座(7),沉淀室(8)包括一端开口的管状本体和封闭管状本体端口的塞子(9),所述塞子上插有与管状本体内孔相通的进气管(12)和排气管(10),供气控制器(11)包括输气管系和安装在输气管系管路上的控制阀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川大学,未经四川大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200620035962.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top