[实用新型]柔性非晶硅薄膜太阳电池无效
| 申请号： | 200620039938.5 | 申请日： | 2006-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN201045738Y | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 胡宏勋;郑君 | 申请（专利权）人： | 胡宏勋;郑君 |
| 主分类号： | H01L31/045 | 分类号： | H01L31/045 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人： | 罗习群 |
| 地址： | 201612上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种柔性非晶硅薄膜太阳电池，太阳电池的结构层依次是，聚酰亚胺薄膜作基体/ITO导电薄膜为正极/P型非晶硅/本征型非晶硅/n型非晶硅/铝膜为负极/光聚树脂。聚酰亚胺薄膜的厚度小于0.1mm，其透光率要达93％。ITO导电薄膜层是用磁控溅射，在聚酰亚胺薄上在真空室中沉积形成厚约0.8μm层。铝膜层是采用磁控溅射制成，其厚度约1μm。光聚树脂是滚涂生长在铝膜表面上。优点是，具有可卷曲的优点，其曲率半径可小于5mm，高效率：其初始效率高于8％(AM1.5，100mW/cm2，25℃)；极高的重量比功率，可达1500W/kg以上。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 非晶硅 薄膜 太阳电池 | ||
【主权项】：
1.一种柔性非晶硅薄膜太阳电池，其特征在于：该太阳电池的结构层依次是， 聚酰亚胺薄膜作基体/ITO导电薄膜为正极/P型非晶硅/本征型非晶硅/n型非晶硅/铝膜为负极/光聚树脂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
