[实用新型]垂直冷顶熔制硼硅浮法玻璃双拼式全电熔窑无效

专利信息
申请号: 200620041200.2 申请日: 2006-04-20
公开(公告)号: CN2878376Y 公开(公告)日: 2007-03-14
发明(设计)人: 杨志强 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: C03B18/16 分类号: C03B18/16;C03B5/02
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 代理人: 张磊
地址: 20009*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型属玻璃制品和其它无机材料的高温电熔技术领域,具体涉及一种垂直冷顶熔制硼硅浮法玻璃双拼式全电熔窑。由两个相同的六角形玻璃熔窑、一个上升道和一个供料道组成,玻璃熔窑包括熔化区和澄清区,熔化区位于澄清区上方,澄清区池壁一侧下部设有流液洞,两个玻璃熔窑的流液洞分别连接上升道的进料口,上升道的顶端连接供料道,两个六角形筒式玻璃熔窑中心断面之间夹角为150度,与供料道中心断面夹角为105度;在熔化区和澄清区分布有电极。本实用新型使用冷顶电熔工艺,硼挥发低,熔制温度高;采用双拼式结构,在结构部置上,没有操作空间的冲突,双倍增加的化料量可以满足采用浮法工艺生产硼硅酸盐平板玻璃基本规模的需要。
搜索关键词: 垂直 冷顶熔制硼硅浮法 玻璃 双拼式全电熔窑
【主权项】:
1、一种垂直冷顶熔制硼硅浮法玻璃双拼式全电熔窑,由两个相同玻璃熔窑、一个上升道和一个供料道组成,玻璃熔窑由炉盖(9)、熔窑壁(19)、熔窑底座围成,呈柱形,其横截面为长短边间隔排列的六角形,内部包括熔化区(13)和澄清区(14),玻璃熔窑长边一侧的熔窑壁(19)上部开有进料口(12);其特征在于,澄清区底座(20)固定于熔窑底座内侧,澄清区池壁(7)固定于熔窑壁(19)内侧;熔化区(13)位于澄清区(14)的上方,熔化区池壁(8)固定于熔窑壁(19)内侧;澄清区池壁(7)一侧的下部设有流液洞(15),流液洞(15)位于玻璃熔窑的熔窑壁(19)短边处;两个玻璃熔窑的流液洞(15)分别连接上升道(16)的一端进料口,上升道(16)的另一端连接供料道(17),两个玻璃熔窑之间的夹角为150度,玻璃熔窑与供料道中心断面夹角为105度;供料道(17)的上方设有硅碳棒加热装置(18);与熔化区(13)相连的熔窑壁(19)的每个长边处设有7-8根主电极(11),主电极(11)的一端位于熔化区(13)内,另一端连接供电部件;与澄清区(14)相连的熔窑壁(19)的每个长边处设有4根辅助电极(21),辅助电极(21)的一端位于澄清区(14)内,另一端连接供电部件。
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