[实用新型]丝网印刷铝背发射结N型单晶硅太阳电池

摘要

本实用新型提供一种采用电阻率0.2－15Ω·cm的IC工业废N型单晶硅片制造的太阳电池；该电池结构层，自上电极至背电极，依次是上电极(－)、氮化硅减反射膜，厚度约为80nm、N⁺层厚度约为0.3－0.4um、N型集成电路废单晶硅片，电阻率0.2－15Ω·cm、P⁺铝硅合金层，厚度约为5－10u、背电极(+)；在电池背部的P⁺铝硅合金层，和N⁺层硅片，形成P⁺/N发射极。本实用新型的优点是，(1)采用电阻率为0.2－15Ω·cm的IC工业废N型单晶硅片制造太阳电池；(2)采用常规工艺印刷铝浆，烧结形成P⁺/N背发射结；(3)发射结在电池的背面，而不是在电池的正面。是一种再生能源技术的开发。

主权项

1、一种丝网印刷铝背发射结N型单晶硅太阳电池，其特征在于：该太阳电池的结构层，自上电极至背电极，依次是上电极(-)、氮化硅减反射膜，厚度约为80nm、N+层厚度约为0.3-0.4um、N型集成电路废单晶硅片，电阻率0.2-15Ω·cm、P+铝硅合金层，厚度约为5-10u、背电极(+)。