[实用新型]一种离子注入设备无效
| 申请号： | 200620048877.9 | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN200986914Y | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 秦宏志;钱吴全;蔡国辉;李伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/425;H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种离子注入设备。现有的离子注入设备因通过电磁驱动装置驱动离子束水平运动，而存在离子注入设备体积过大及成本过高的问题。本实用新型的离子注入设备，其包括底座、离子束产生装置、基座、晶圆台和晶圆台驱动装置，其中，该晶圆台驱动装置包括垂直运动驱动装置和转动驱动装置，该转动驱动装置配合垂直运动驱动装置驱动晶圆台运动使该离子束产生装置发射的离子束可注入至放置在晶圆台上的晶圆面上的任一点。采用本实用新型能避免使用电磁驱动装置驱动离子束水平运动而造成的离子注入设备过大及成本过高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 设备 | ||
【主权项】：
1、一种离子注入设备，其包括底座、离子束产生装置、基座、晶圆台和晶圆台驱动装置，其中，该晶圆台驱动装置包括垂直运动驱动装置，其特征在于，该晶圆台驱动装置还包括转动驱动装置，该转动驱动装置配合垂直运动驱动装置驱动晶圆台运动使该离子束产生装置发射的离子束可注入至放置在晶圆台上的晶圆面上的任一点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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