[实用新型]一种两次曝光用长掩模版无效
申请号: | 200620049443.0 | 申请日: | 2006-12-22 |
公开(公告)号: | CN200989993Y | 公开(公告)日: | 2007-12-12 |
发明(设计)人: | 姚峰英 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/14;G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201203上海市张江高科*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种两次曝光用长掩模版,适当加大长掩模版的宽度使其超过正常宽度,从而使两次曝光的图形区域位于中心较为平坦的区域内,以减少聚焦弯曲值并使其到达所允许的范围;掩模版的尺寸范围为:宽度方向200mm-350mm,长度方向250mm~350mm。掩模版上的两次曝光图形所构成的区域为长方形,该长方形区域的短边位于掩模版宽度方向的中心位置。通过在一次扫描曝光中完成普通曝光时要两次扫描加一次曝光台运动才能完成的两个区域的曝光,因而大大减少了两次曝光技术所需要的时间,降低了两次曝光技术进入大生产的困难。 | ||
搜索关键词: | 一种 两次 曝光 用长掩 模版 | ||
【主权项】:
1、一种两次曝光用长掩模版,其特征在于,所述掩模版的宽度大于正常值;当该掩模版的长度为250mm~350mm时,其宽度可为200mm~350mm;所述掩模版上两次曝光的图形区域位于其中心较为平坦的区域内。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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