[实用新型]U槽LED集成芯片无效
| 申请号： | 200620059133.7 | 申请日： | 2006-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN2904302Y | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 吴纬国 | 申请（专利权）人： | 广州南科集成电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司： | 广州市红荔专利代理有限公司 | 代理人： | 李彦孚 |
| 地址： | 510663广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种制造成本低、发光效率高、散热效果好的U槽LED集成芯片。本实用新型包括若干个LED裸芯片和硅衬底，LED裸芯片包括N型外延层、P型外延层，硅衬底顶面于所述LED裸芯片处有两个金属层，两个外延层通过焊球或金属线焊接在金属层上，金属层与硅衬底的结合区还有两个隔离层I，硅衬底上表面有若干个U型凹槽，LED裸芯片位于凹槽内，LED裸芯片之间通过金属层相连接并引出阳、阴极接点，凹槽内有填充树脂，金属层覆盖于凹槽的底面和侧面且外表面为反光面，金属层与硅衬底之间有隔离层II。本实用新型可广泛应用于LED领域。 | ||
| 搜索关键词： | led 集成 芯片 | ||
【主权项】：
1、一种U槽LED集成芯片，包括若干个LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，所述LED裸芯片包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，所述硅衬底(2)顶面于每个所述LED裸芯片处有两个分离的沉积金属层(32、33)，所述P型外延层(12)、所述N型外延层(11)分别通过焊球(40、41)倒装或通过金属线(45、46)正装焊接在所述金属层(32、33)上，所述金属层(32、33)与所述硅衬底(2)的结合区分别还有一个掺杂的隔离层I(22、23)，其特征在于：所述硅衬底(2)上表面有若干个U型凹槽，若干个所述LED裸芯片对应位于若干个所述U型凹槽内，若干个所述LED裸芯片之间通过所述金属层(32、33)相连接并引出阳极接点(80)和阴极接点(81)，所述U型凹槽内有透明绝缘的填充树脂(7)，所述金属层(32、33)覆盖于各所述U型凹槽的底面和侧面，所述金属层(32、33)的外表面为反光面，各所述LED裸芯片对应的所述金属层(32、33)与所述硅衬底(2)之间设有隔离层II。
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