[实用新型]半导体器件生产清洗用阶梯式冲水槽无效
| 申请号： | 200620077350.9 | 申请日： | 2006-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN200948456Y | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 朱国伟;姚承锡 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/04 | 分类号： | B08B3/04;B08B3/02 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214028江苏省无锡市无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体器件生产清洗用阶梯式冲水槽，具体地说是与腐蚀槽、喷淋式预冲槽配套使用，用于半导体晶圆片生产过程中湿法腐蚀、去胶、清洗等工序的冲水，属于湿法腐蚀工序中的设备。其主要采用高低冲水槽前后阶梯式排列组成一体，在高冲水槽后部连接进水管。低冲水槽底部设置排水孔；高冲水槽上设有流水槽。本实用新型将原水平排列的溢流槽改为前后阶梯式排列，并比预冲槽高出一点，避免了圆片转移过程中酸水对纯水的污染；纯水从高端进入，并从顶部和底部流到低端继续使用，可以节省一半纯水的；不另外用进水管，其水的电阻率能满足初步冲洗要求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 生产 清洗 阶梯 水槽 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件生产清洗用阶梯式冲水槽，其特征是采用高低冲水槽(2、3)前后阶梯式排列组成一体，在高冲水槽(2)后部连接进水管(1)、进气管(6)。
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