[实用新型]半导体器件生产清洗用喷淋式预冲槽无效
| 申请号： | 200620077351.3 | 申请日： | 2006-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN200948457Y | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 刘东昇;姚承锡 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/04 | 分类号： | B08B3/04;B08B3/02 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214028江苏省无锡市无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体器件生产清洗用喷淋式预冲槽，具体地说是与腐蚀槽、阶梯式冲水槽配套使用，用于半导体晶圆片生产过程中湿法腐蚀、去胶、清洗等工序的冲水，属于湿法腐蚀工序中的设备。其主要采用在喷淋式预冲槽体后部连接进水管，顶部边缘四周设为储水室，边缘斜面上设置喷水孔向槽内斜喷水。在喷淋式预冲槽体的底部设置排水孔。本实用新型结构简单、紧凑，合理；将原预冲槽的进水方式由底部进水改为顶部边缘进水，水通过小孔后以一定角度斜喷入槽中，喷水压力有所加大，且方向集中，对圆片的冲洗更为彻底；优化了作业流程，避免了水污染，节约了纯水用量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 生产 清洗 喷淋 式预冲槽 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件生产清洗用喷淋式预冲槽，采用在喷淋式预冲槽(2)后部连接进水管(1)，其特征是在预冲槽(2)顶部边缘四周设为储水室(3)，边缘斜面上设置喷水孔(4)向槽内喷水。
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