[实用新型]半导体均压合成绝缘子无效

专利信息
申请号: 200620096663.9 申请日: 2006-05-13
公开(公告)号: CN2922076Y 公开(公告)日: 2007-07-11
发明(设计)人: 王晓楠;杨红军;吴兆峰;李亚萍;彭绍梨;马向方 申请(专利权)人: 襄樊国网合成绝缘子股份有限公司
主分类号: H01B17/00 分类号: H01B17/00
代理公司: 襄樊市开创专利事务所 代理人: 何静月
地址: 441002*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型提供一种半导体均压合成绝缘子,其技术方案包括芯棒、护套伞裙、金属端头和均压装置,在绝缘子体接近金属端头的芯棒上,有沿纵向排列N个的半导体合成材料层,半导体合成材料层外面为高温硫化硅橡胶材料层及其护套伞裙。能够完全弥补高压合成绝缘子上均压装置所欠缺部分特性,可实现对特高压合成绝缘子结构中不均匀电场的调整,与现有技术相比,本实用新型具有很高的电阻率,在很宽的温度和频率范围内其阻值仍能保持稳定,且对高压电晕放电和电弧放电具有很好的抵抗性,对地电容较大,能有效地改善端部电场场强分布。它完全能满足高压合成绝缘子的运行要求,不改变产品的外绝缘特性、雷电冲击、操作冲击水平,又能产生实质性的作用。
搜索关键词: 半导体 合成 绝缘子
【主权项】:
1、一种半导体均压合成绝缘子,包括芯棒(2)、护套伞裙(6)、金属端头(1)和均压装置,其特征在于:在合成绝缘子体接近金属端头(1)的芯棒(2)上,有沿纵向排列N个的半导体合成材料层,半导体合成材料层外面为高温硫化硅橡胶材料层及其护套伞裙(6)。
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