[实用新型]高线性度AlGaInAs BH激光器

摘要

高线性度AlGaInAs BH激光器，涉及一种广泛应用于通讯等的电光转换器件。工作腔体和出光面、反射面组成谐振腔，工作腔体内的上SCH波导层、下波导层和AlGaInAs/InP工作有源层形成分别限制结构及增益材料部分，P型正极欧姆接触层和N型负极欧姆接触层构成电流注入的电极通道，工作有源层两边有脊形波导，脊形波导由P－InP层和N－InP层组成的测向折射率导引和P－N－P漏电流限制结构掩埋，谐振腔有外置大双沟。本实用新型采用双沟掩埋结构，脊形波导将光场模限制在掩埋有源区内，同时DCPBH结构可以减小有源区的尺寸加强侧模控制；在侧向采用p－n－p晶闸管结构，可以较好地进行电流限制；本实用新型具有小的阈值电流、近圆光斑、稳定的模式和热阻，可在室温情况下稳定、连续工作30年以上。

主权项

1、高线性度AlGaInAs BH激光器，其特征在于工作腔体和出光面(1)、反射面(2)组成谐振腔，工作腔体内的上SCH波导层(4)、下波导层(6)和AlGaInAs/InP工作有源层(5)形成分别限制结构及增益材料部分，P型正极欧姆接触层(3)和N型负极欧姆接触层(7)构成电流注入的电极通道，工作有源层(5)两边有脊形波导(9)，脊形波导(9)由P-InP层(11)和N-InP层(10)组成的测向折射率导引和P-N-P漏电流限制结构掩埋，谐振腔有外置大双沟(8)。