[实用新型]半导体结构无效
| 申请号： | 200620112555.6 | 申请日： | 2006-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN2899115Y | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 丁世汎;黄正同;洪文翰;郑礼贤;郑子铭 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构，此半导体结构包括基底、源/漏极延伸区、源/漏极区、金属硅化物层以及应力层。基底上已配置有栅极结构，其中栅极结构的侧壁上配置有间隙壁，且间隙壁旁的基底中具有开口。源/漏极延伸区配置于栅极结构二侧的基底中。源/漏极区配置于开口底部的基底中或基底上。金属硅化物层配置于源/漏极区与栅极结构上。应力层配置于基底表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1、一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，该基底上已配置有栅极结构，其中该栅极结构的侧壁上配置有间隙壁，且该间隙壁旁的该基底中具有开口；源/漏极延伸区，配置于该栅极结构二侧的该基底中；源/漏极区，配置于该开口底部的该基底中或该基底上；金属硅化物层，配置于该源/漏极区与该栅极结构上；以及应力层，配置于该基底表面上。
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