[实用新型]区熔单晶硅炉无效
| 申请号： | 200620117810.6 | 申请日： | 2006-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN2913390Y | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 张志新;王军;安桂正 | 申请（专利权）人： | 北京京运通真空设备厂 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 闫立德 |
| 地址： | 101113北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型属于一种区熔单晶硅炉，采用中炉膛中部一侧通过真空管道相通复合分子泵的抽气口，复合分子泵的抽气口与真空管道之间设有真空挡板阀，复合分子泵通过分子泵固定栓固接在支架上。本实用新型能用简单的结构提高炉膛内的真空度，以提高硅籽晶质量，达到理想的使用效果。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 | ||
【主权项】：
1、一种区熔单晶硅炉，由支架、地脚、传动支架、上炉膛、下炉膛和中炉膛所组成，其特征在于：中炉膛中部一侧通过真空管道相通复合分子泵的抽气口，复合分子泵的抽气口与真空管道之间设有真空挡板阀，复合分子泵通过分子泵固定栓固接在支架上。
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