[实用新型]薄膜覆晶封装构造及覆晶封装的COF薄膜卷带无效

专利信息
申请号: 200620118078.4 申请日: 2006-06-12
公开(公告)号: CN2929962Y 公开(公告)日: 2007-08-01
发明(设计)人: 何志文;杨志辉;谢庆堂;蔡坤宪;林志松 申请(专利权)人: 飞信半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/31
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 实用新型是有关于一种薄膜覆晶封装构造及覆晶封装的COF薄膜卷带,该薄膜覆晶封装构造主要包含一COF薄膜卷带、一晶片以及一封胶体。该COF薄膜卷带包含有一可挠性介电层、复数个第一引线以及复数个第二引线,该可挠性介电层定义有一晶片接合区,该晶片接合区形成有复数个通孔,且该些通孔是位于该些第一引线与该些第二引线之间,该晶片的复数个凸块是电性连接至该COF薄膜卷带,该封胶体是形成于该晶片与该COF薄膜卷带之间,以密封该些凸块,其中该封胶体是可流布于该些通孔中。该些通孔可提高该薄膜覆晶封装构造内的排气效果,并且增加该COF薄膜卷带的抗应力强度,以避免该薄膜覆晶封装构造因该封胶体固化产生应力,而造成该薄膜覆晶封装构造分层断裂,并可保持该薄膜覆晶封装构造的外形美观。
搜索关键词: 薄膜 封装 构造 cof
【主权项】:
1、一种薄膜覆晶封装构造,其特征在于其包含:一COF薄膜卷带,其包含有一可挠性介电层、复数个第一引线以及复数个第二引线,该可挠性介电层是定义有一晶片接合区,该些第一引线以及该些第二引线是形成于该可挠性介电层,其中该晶片接合区是形成有复数个通孔,该些通孔是位于该些第一引线与该些第二引线之间;一晶片,其具有复数个凸块,该晶片是设置于该COF薄膜卷带上,且该些凸块是电性连接至该COF薄膜卷带的该些第一引线以及该些第二引线;以及一封胶体,其形成于该晶片与该COF薄膜卷带之间,以密封该些凸块。
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