[实用新型]改进的半导体蚀刻机台无效
| 申请号： | 200620119834.5 | 申请日： | 2006-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN2935468Y | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 刘相贤 | 申请（专利权）人： | 联萌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/683;C23F4/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;陈肖梅 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种改进的半导体蚀刻机台，其包含：一个真空腔体；一个位于上述真空腔体之内的载板，该载板上设有数个用以承载晶圆的容纳位置；以及一个支撑上述载板的支撑轴；其特征在于上述载板之各容纳位置，藉由一中心区域而互相连接，该中心区域之中心点至其边缘其中一点的长度，小于该中心点至任一容纳位置最远边缘点的长度。本实用新型其载板面积较现有技术为小，因此可提高RF功率的运用效率，亦可以功率耗损较低的方式达成较佳的蚀刻率。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 半导体 蚀刻 机台 | ||
【主权项】：
1.一种改进的半导体蚀刻机台，包含：一个真空腔体；一个位于上述真空腔体之内的载板，该载板上设有数个用以承载晶圆的容纳位置；以及一个支撑上述载板的支撑轴，其特征在于，上述载板之各容纳位置，藉由一中心区域而互相连接，该中心区域之中心点至其边缘其中一点的长度，小于该中心点至任一容纳位置最远边缘点的长度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
