[实用新型]深亚微米级堆叠并联金属/绝缘体/金属结构电容器无效
申请号: | 200620121192.2 | 申请日: | 2006-07-25 |
公开(公告)号: | CN200950440Y | 公开(公告)日: | 2007-09-19 |
发明(设计)人: | 夏洪旭;王政烈 | 申请(专利权)人: | 和舰科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L27/02 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人: | 薛平 |
地址: | 215021江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种深亚微米级堆叠并联MiM结构电容器,其具有多层堆叠的MiM结构,有多个金属或多晶硅层作为布线层,构成下极板,其上方有导电层构成上极板,各个上极板图案由同一块MMC掩模定义,上、下两个平行电极板之间有绝缘电介质,构成单个固定电容器,金属层间的导通孔分别从上、下极板引出连接作为MiM结构电容器的两个节点,各布线层之间的单个固定电容器通过布线构成堆叠并联结构电容器。本实用新型的电容器在同样的布图面积下,电容显著增大,并且不需要额外的掩膜,从而达到节省布局面积的目的。 | ||
搜索关键词: | 微米 堆叠 并联 金属 绝缘体 金属结构 电容器 | ||
【主权项】:
1.一种深亚微米级堆叠并联金属/绝缘体/金属结构电容器,其特征在于具有多层堆叠的金属/绝缘体/金属结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的