[实用新型]动态随机存取存储器的电容器接点结构无效

专利信息
申请号: 200620121277.0 申请日: 2006-07-27
公开(公告)号: CN2935476Y 公开(公告)日: 2007-08-15
发明(设计)人: 苏怡男;杨进盛 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种电容器接点结构,适用于动态随机存取存储器的存储单元阵列区,此存储单元阵列区配置于基底上,且位于基底中的掺杂带上,此电容器接点结构包括闲置电容器与接触窗。其中,闲置电容器配置于基底的第一沟渠中,且第一沟渠底部暴露出部分掺杂带。闲置电容器包括第一下电极、第一介电层与第一上电极。第一下电极沿着第一沟渠内面配置,且电性连接掺杂带。第一介电层配置于第一下电极与第一沟渠的侧壁之间。第一上电极则配置于第一下电极上,且填满第一沟渠。接触窗配置于闲置电容器上,藉此电性连接掺杂带。
搜索关键词: 动态 随机存取存储器 电容器 接点 结构
【主权项】:
1.一种电容器接点结构,其特征在于,适用于动态随机存取存储器的存储单元阵列区,该存储单元阵列区配置于基底上,且位于该基底中的掺杂带上,该电容器接点结构包括:闲置电容器,配置于该基底中的第一沟渠中,且该第一沟渠底部暴露出该掺杂带,该闲置电容器包括:第一下电极,沿着该第一沟渠内面配置,且电性连接该掺杂带;第一介电层,配置于该第一下电极与该第一沟渠的侧壁之间;以及第一上电极,配置于该第一下电极上,且填满该第一沟渠;以及接触窗,配置于该闲置电容器上,藉此电性连接该掺杂带。
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