[实用新型]动态随机存取存储器的电容器接点结构无效
申请号: | 200620121277.0 | 申请日: | 2006-07-27 |
公开(公告)号: | CN2935476Y | 公开(公告)日: | 2007-08-15 |
发明(设计)人: | 苏怡男;杨进盛 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种电容器接点结构,适用于动态随机存取存储器的存储单元阵列区,此存储单元阵列区配置于基底上,且位于基底中的掺杂带上,此电容器接点结构包括闲置电容器与接触窗。其中,闲置电容器配置于基底的第一沟渠中,且第一沟渠底部暴露出部分掺杂带。闲置电容器包括第一下电极、第一介电层与第一上电极。第一下电极沿着第一沟渠内面配置,且电性连接掺杂带。第一介电层配置于第一下电极与第一沟渠的侧壁之间。第一上电极则配置于第一下电极上,且填满第一沟渠。接触窗配置于闲置电容器上,藉此电性连接掺杂带。 | ||
搜索关键词: | 动态 随机存取存储器 电容器 接点 结构 | ||
【主权项】:
1.一种电容器接点结构,其特征在于,适用于动态随机存取存储器的存储单元阵列区,该存储单元阵列区配置于基底上,且位于该基底中的掺杂带上,该电容器接点结构包括:闲置电容器,配置于该基底中的第一沟渠中,且该第一沟渠底部暴露出该掺杂带,该闲置电容器包括:第一下电极,沿着该第一沟渠内面配置,且电性连接该掺杂带;第一介电层,配置于该第一下电极与该第一沟渠的侧壁之间;以及第一上电极,配置于该第一下电极上,且填满该第一沟渠;以及接触窗,配置于该闲置电容器上,藉此电性连接该掺杂带。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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