[实用新型]具有备用元件的半导体晶片无效

专利信息
申请号: 200620123997.0 申请日: 2006-07-27
公开(公告)号: CN2935475Y 公开(公告)日: 2007-08-15
发明(设计)人: 范德安 申请(专利权)人: 威盛电子股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/522
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇
地址: 中国台湾台北*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 实用新型提供一种具有备用元件的半导体晶片,包含有一基底、一备用元件,配置于该基底之上以及多个金属层及金属洞垂直堆叠于该一输入输出端口之上,其中该多个金属层位于基板最外侧的金属层是为一最高阶金属层,而该输入输出端口是通过该最高阶金属层连接至一系统电压或是接地电压。本实用新型由于输入输出端口已使用高阶的金属作为接点,所以只需修改少数几层高阶的金属层即可,大大的节省了成本。
搜索关键词: 具有 备用 元件 半导体 晶片
【主权项】:
1.一种具有备用元件的半导体晶片,其特征在于,所述具有备用元件的半导体晶片包含:一基底;一备用元件,配置于该基底之上,该备用元件具有一输入输出端口;及多个金属层及金属洞垂直堆叠于该一输入输出端口之上,其中该多个金属层中位于基板最外侧的金属层是为一最高阶金属层,而该输入输出端口是通过该最高阶金属层连接至一系统电压或是接地电压。
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