[实用新型]金属氧化物半导体场效应晶体管

摘要

一种金属氧化物半导体场效应晶体管，此金属氧化物半导体场效应晶体管是由基底、数个隔离结构、栅极结构、源极与漏极层及间隙壁所构成。隔离结构配置于基底中。栅极结构配置于隔离结构之间的基底上。源极与漏极层位于栅极结构两侧与隔离结构之间的基底中，且源极与漏极层的顶表面高于隔离结构的顶表面。间隙壁位于栅极结构的侧壁，以及源极与漏极层的侧壁与隔离结构上。

主权项

1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：基底；多个隔离结构，配置于该基底中；栅极结构，配置于该些隔离结构之间的该基底上；源极与漏极层，位于该栅极结构两侧与该些隔离结构之间的该基底中，其中该源极与漏极层的顶表面高于该些隔离结构的顶表面；以及间隙壁，位于该栅极结构的侧壁，以及该源极与漏极层的侧壁与该些隔离结构上。